onsemi FDN337N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.2 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
124-1703
Herst. Teile-Nr.:
FDN337N
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

FDN337N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.94mm

Länge

2.92mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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