DiodesZetex ZXMN6A25K N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10.7 A 9.85 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 122-1426
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN6A25KTC
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- ZXMN6A25KTC
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- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | ZXMN6A25K | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 850mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 9.85W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie ZXMN6A25K | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 850mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 9.85W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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