onsemi NTTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 40 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 121-6310
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS5116PLTAG
- Hersteller:
- onsemi
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- onsemi
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | NTTFS5116PL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 72mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 750μm | |
| Breite | 3.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie NTTFS5116PL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 72mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 750μm | ||
Breite 3.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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