Infineon Isoliert OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 110-7726P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL215CH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.