Infineon OptiMOS FD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 84 A 300 W, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7458
Herst. Teile-Nr.:
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

OptiMOS FD

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

170°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Höhe

4.57mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™ FD


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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