onsemi FDN P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2 A 0.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 838-639P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN340P
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*
€ 36,75
(ohne MwSt.)
€ 44,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 1225 | € 0,147 |
| 1250 - 2475 | € 0,113 |
| 2500 + | € 0,088 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 838-639P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN340P
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | FDN | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie FDN | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.4mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von onsemi wurde für effiziente Schaltanwendungen mit reduziertem Einschaltwiderstand und niedriger Gate-Ladung entwickelt. Dieses Gerät zeichnet sich durch Energieverwaltung und Lastschaltung für tragbare Elektronik aus.
Geeignet für 2 A Strom mit einer maximalen Nennspannung von 20 V
Verwendet fortschrittliche Technologie, um einen niedrigen Einschaltwiderstand bei mehreren Gate-Spannungen zu erreichen
Entwickelt mit hoher Leistungsaufnahme in einem SOT-23-Gehäuse für verbesserte thermische Leistung
Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei, gewährleistet die Einhaltung von Umweltstandards