Microchip Power MOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 32 A 290 W, 4-Pin SOT
- RS Best.-Nr.:
- 813-814
- Herst. Teile-Nr.:
- APT50M75JLLU2
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | Power MOS 7 | |
| Gehäusegröße | SOT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 38.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie Power MOS 7 | ||
Gehäusegröße SOT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 38.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Das MOSFET-Leistungsmodul von Microchip wurde für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Anwendungen entwickelt. Es eignet sich hervorragend für Hochfrequenzbetrieb und bietet robuste Leistungsmerkmale für anspruchsvolle Bedingungen.
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) für eine effektive Leitfähigkeit
Geringe Gate-Ladung und Kapazität für effiziente Leistung
Ausgelegt für 500 V Drain-Source-Ausbruchspannung
Umfasst ISOTOP-Gehäuse für einfache direkte Kühlkörpermontage