Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 60 V / -4.4 A 3.3 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 790-420
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet hohe Leistung in Automobilanwendungen und verfügt über eine zweifache P-Kanal-Konfiguration, die für die effektive Steuerung von Spannungen bis zu 60 V bei extremen Temperaturbedingungen von 175 °C ausgelegt ist.
AEC Q101-qualifiziert für Zuverlässigkeit im Automobilbereich
100 % R- und UIS-Tests gewährleisten einen konsistenten Betrieb
Zweifache P-Kanal-Konfiguration erhöht die Designflexibilität
Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Energieeffizienz
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