Infineon Halbbrücke EasyPACK N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET-Module 1.2 kV Erweiterung / 60 A 20 mW, 22-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 762-948
- Herst. Teile-Nr.:
- F413MXTR12C1M2H11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Serie | EasyPACK | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 22 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.158μC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -23V | |
| Durchlassspannung Vf | 6.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Länge | 62.8mm | |
| Breite | 37.21mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Serie EasyPACK | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 22 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.158μC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -23V | ||
Durchlassspannung Vf 6.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Länge 62.8mm | ||
Breite 37.21mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das EasyPACK-Modul von Infineon verfügt über CoolSiC Trench-MOSFETs mit einer Nennspannung von 1200 V und einer Strombelastbarkeit von maximal 50 A und 100 A. Es umfasst einen integrierten NTC-Temperatursensor und robuste Befestigungsklemmen. Darüber hinaus weist das Gehäuse einen Vergleichs-Tracking-Index (CTI) von mehr als 600 und einen hohen Stromstift auf.
Induktionsarme Konstruktion
Geringe Schaltverluste
Hohe Stromdichte
PressFIT-Kontakttechnik
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