Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 65 A 195 W, 3-Pin TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 8,62

(ohne MwSt.)

€ 10,34

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 139 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 8,62
10 - 49€ 6,98
50 - 99€ 5,34
100 +€ 4,27

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
762-903
Herst. Teile-Nr.:
IMW40R025M2HXKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

4.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

195W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.83mm

Länge

20.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der CoolSiC MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung und verfügt über eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung. Darüber hinaus verfügt es über die XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung seiner Klasse.

100 % Avalanche-getestet

Empfohlene Gate-Antriebsspannung

Qualifiziert für industrielle Anwendungen

Wird für die Energiespeicherung, USV und Batteriebildung verwendet

Verwandte Links