Vishay SQ3583CEV N-Kanal, P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 20 V / 4.7 A 1.67 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
736-343
Herst. Teile-Nr.:
SQ3583CEV-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal, P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOP-6

Serie

SQ3583CEV

Montageart

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.077Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.67W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE
Der Dual-MOSFET von Vishay wurde für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit entwickelt. Diese Komponente nutzt die TrenchFET-Technologie, um ein effizientes Energiemanagement in einem kompakten TSOP-6-Gehäuse zu ermöglichen.

Qualifiziert für den Einsatz im Automobilbereich gemäß AEC-Q101-Standards

Unterliegt 100 % Rg- und UIS-Tests, um eine robuste Leistung zu gewährleisten

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