Vishay SQS484CENW N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 16 A 6.25 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 735-126
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS484CENW-T1_BE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQS484CENW | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet außergewöhnliche Leistung für Automobilanwendungen und gewährleistet zuverlässiges Hochgeschwindigkeitsschalten mit niedrigem Einschaltwiderstand, wodurch er für verschiedene Strommanagementaufgaben sehr effizient ist.
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 16 A
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 bis +175 °C
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