Vishay SQS484CENW N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 16 A 6.25 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 735-126
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS484CENW-T1_BE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQS484CENW | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.25W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet außergewöhnliche Leistung für Automobilanwendungen und gewährleistet zuverlässiges Hochgeschwindigkeitsschalten mit niedrigem Einschaltwiderstand, wodurch er für verschiedene Strommanagementaufgaben sehr effizient ist.
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 16 A
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 bis +175 °C
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