DiodesZetex DMG3406L N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.4 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 719-488
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG3406L-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMG3406L | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.5 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMG3406L | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.5 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Diese Komponente wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu bieten. Sie eignet sich ideal für das Laden von Batterien, DC/DC-Wandlern und tragbaren Netzteilen. Seine robuste mechanische Bauweise, kombiniert mit einer bleifreien und RoHS-konformen Konstruktion, unterstreicht sein Engagement für ökologische Nachhaltigkeit und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen. Dieser MOSFET ist in der Lage, erhebliche Stromlasten zu bewältigen und dient als unverzichtbare Komponente für moderne elektronische Systeme, die ein zuverlässiges Strommanagement erfordern.
Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz bei der Stromverwaltung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Leistung in dynamischen Anwendungen
Geringe Eingangskapazität verringert den Systemstrombedarf
Entwickelt für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V, um Vielseitigkeit zu gewährleisten
RoHS-konform, unterstützt umweltfreundliche Geräteherstellung
Totale bleifreie Konstruktion, in Übereinstimmung mit den Umweltstandards
Hohe kontinuierliche Ablassstromleistung von 3,6 A bei 25 °C maximiert die Anwendungsleistung
Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1 sorgt für robuste Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen
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