ROHM SH8MD5HT Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 3.5 A 2.0 W, 8-Pin SOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-485P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MD5HTB1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SH8MD5HT | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 167mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.0W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.2mm | |
| Länge | 6.3mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SH8MD5HT | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 167mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.0W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.2mm | ||
Länge 6.3mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Anwendungen entwickelt. Dieses Gerät zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Verlustleistung aus, was es zu einer idealen Wahl für Motorantriebsanwendungen macht. Mit N- und P-Kanal-Konfigurationen ermöglicht er vielseitige Schaltungsentwürfe in kompakten SOP8-Gehäusen. Die robuste Konstruktion des MOSFET gewährleistet, dass er die strengen Anforderungen an Zuverlässigkeit und Konformität erfüllt, einschließlich RoHS- und halogenfreier Zertifizierungen, die für moderne elektronische Komponenten unerlässlich sind.
Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz und thermische Leistung
Kompaktes SOP8-Gehäuse bietet platzsparende Lösungen für Leiterplatten-Designs
Pb-frei und RoHS-konform, um eine umweltfreundliche Herstellung zu gewährleisten
Halogenfreie Konstruktion fördert Sicherheit und Nachhaltigkeit
Sowohl für N-Kanal- als auch für P-Kanal-Anwendungen geeignet und bietet Designflexibilität
Zuverlässiger Betrieb mit 100 % Rg und UIS-Test für hohe Qualitätssicherung
Außergewöhnliche Lawinenbelastbarkeit für den robusten Umgang mit transienten Bedingungen.