ROHM RH7G04CBJFRA Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 62 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB
- RS Best.-Nr.:
- 687-463
- Herst. Teile-Nr.:
- RH7G04CBJFRATCB
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Serie | RH7G04CBJFRA | |
| Gehäusegröße | DFN3333T8LSAB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Serie RH7G04CBJFRA | ||
Gehäusegröße DFN3333T8LSAB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu liefern. Dieses Bauteil wurde speziell für hocheffizientes Schalten entwickelt und eignet sich daher ideal für Automobil-, Beleuchtungs- und andere hochzuverlässige Systeme. Mit seinen robusten thermischen Eigenschaften, einschließlich einer maximalen Verlustleistung von 62 W und einem beeindruckenden kontinuierlichen Ablassstrom von ±40 A, gewährleistet der RH7G04CBJFRA einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Darüber hinaus verfügt dieser MOSFET über fortschrittliche Funktionen wie Avalanche-Prüfung und AEC-Q101-Qualifikation, die Sicherheit und Langlebigkeit in kritischen Umgebungen garantieren.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 17,7 mΩ für mehr Effizienz
Liefert einen maximalen gepulsten Ablassstrom von ±80 A, der Hochleistungsanwendungen ermöglicht
Benetzbare Flanken für erhöhte Zuverlässigkeit der Lötverbindung
Bietet eine robuste thermische Beständigkeit, um die Leistung unter schweren Lasten aufrechtzuerhalten
Funktioniert effektiv in einem weiten Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
Umfasst eine 100 % Avalanche-Testspezifikation für erhöhte Sicherheit
Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich ADAS und Kfz-Beleuchtung
Mit detaillierten Verpackungsspezifikationen für eine benutzerfreundliche Integration