ROHM RD3L08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 96 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-440P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L08CBLHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08CBLHRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.50mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08CBLHRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.50mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt und bietet eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 60 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A ist dieses Gerät ideal für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Automobil- und Unterhaltungselektronik. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 5,3 mΩ maximiert die Energieeffizienz, während seine robuste Konstruktion gewährleistet, dass er rauen Betriebsumgebungen standhält, die AEC-Q101-Qualifikationen erfüllt und 100 % Avalanche-Tests für erhöhte Sicherheit ermöglicht. Dieser MOSFET stellt eine leistungsstarke Lösung für fortschrittliche Schaltungen dar, die Leistung mit strengen Compliance-Standards verbindet.
Niedriger Einschaltwiderstand von 5,3 mΩ verbessert die Energieeffizienz erheblich
Unterstützt einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 80 A für robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen
100 % Avalanche-getestet, um Stabilität und Zuverlässigkeit während des Betriebs zu gewährleisten
AEC Q101 qualifiziert, daher für Automobilanwendungen geeignet
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C gewährleistet zuverlässige Leistung unter verschiedenen Bedingungen
Integrierter Wärmewiderstand des Anschlussgehäuses optimiert die Leistungsaufnahme
Pb-frei und RoHS-konform, in Übereinstimmung mit modernen Umweltstandards.