Vishay SIR5607DP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90.9 A 104 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-196
Herst. Teile-Nr.:
SIR5607DP-T1-UE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIR5607DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.007Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.26 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt eine Ablassquelle-Spannung von bis zu 60 V und ist in einem PowerPAK SO-8-Gehäuse untergebracht. Er wurde mit der TrenchFET Gen V-Technologie gebaut und bietet sehr niedrige RDS(on), was Spannungsabfall und Leitungsverluste minimiert.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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