ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 1.0 W, 3-Pin TSMT-3
- RS Best.-Nr.:
- 646-556P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5G060BGTCL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSMT-3 | |
| Serie | RQ5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.0W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSMT-3 | ||
Serie RQ5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.0W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der leistungsstarke N-Kanal-40-Volt-6-Ampere-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein kleines oberflächenmontierbares Gehäuse vom Typ TSMT3, eine bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der Beschränkungen für gefährliche Stoffe aus.
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet