ROHM RJ1 N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 40 A 89 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 646-551P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1R04BBHTL1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | RJ1 | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Länge | 15.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie RJ1 | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.77mm | ||
Länge 15.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 150 Volt und 40 Ampere Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein Hochleistungsgehäuse des Typs TO 263AB, eine bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der Beschränkungen für gefährliche Stoffe aus.
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet