ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 646-545P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L04BBLHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 60 Volt und 40 Ampere Leistung verfügt über eine bleifreie Beschichtung und erfüllt die Anforderungen an die Beschränkung gefährlicher Stoffe. Er ist zu hundert Prozent Avalanche-getestet
Geringer Durchlasswiderstand
AEC-Q101 qualifiziert