Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 9 V / 350 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23-5

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RS Best.-Nr.:
599-040
Herst. Teile-Nr.:
MIC94050YM4-TR
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal-DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

9V

Gehäusegröße

SOT-23-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Entleerungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Betriebstemperatur min.

-25°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

3.05mm

Breite

1.75 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, ISO/TS‑16949

Höhe

1.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der 4-Anschlussklemmen-Silizium-Gate-P-Kanal-MOSFET von Microchip bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem kompakten Gehäuse. Entwickelt für High-Side-Schalteranwendungen, bei denen der Platz kritisch ist, weist er in der Regel einen Einschaltwiderstand von 0,125 Ω bei einer Gate-to-Source-Spannung von 4,5 V auf. Der MOSFET arbeitet mit einer Gate-to-Source-Spannung von nur 1,8 V.

Betrieb mit 1,8 V Gate-to-Source-Spannung

Separater Substratanschluss ermöglicht eine umgekehrte Blockierung

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