Nexperia BSH108 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.9 A 830 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
509-324
Herst. Teile-Nr.:
BSH108,215
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

BSH108

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

830mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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