Nexperia BSH105 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.05 A 417 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
509-273
Herst. Teile-Nr.:
BSH105,215
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.05A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

BSH105

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

417mW

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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