Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 415-354P
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3878(F)
Hersteller:: Toshiba

Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 415-354P
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3878(F)
Hersteller:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9 A
Drain-Source-Spannung max.	900 V
Serie	2SK
Gehäusegröße	TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	15.9mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.8mm
Höhe	19mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba