Infineon IGC033 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 76 A 45 W, 6-Pin PG-VSON-6

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RS Best.-Nr.:
351-970
Herst. Teile-Nr.:
IGC033S101XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

76A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IGC033

Gehäusegröße

PG-VSON-6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

5.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

MOSFET der Serie IGC033 von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 76 A kontinuierlicher Drain-Strom – IGC033S101XTMA1


Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Designs. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist JEDEC-konform, wodurch er sich für Hochstromanwendungen eignet, bei denen eine Integration kompakter Gehäuse erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:


• Sehr niedrige Rds(on) von 3,3 mΩ für reduzierte Leitungsverluste
• Kann einen kontinuierlichen Ablassstrom von 76 A für schwere Lasten bewältigen
• 100 V Drain‐Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltung
• Maximale Verlustleistung von 45 W für den thermischen Kopfraum
• Typische Gate-Ladung von 11 nC ermöglicht einen effizienten Gate-Antrieb
• Oberflächenmontiertes PG‐VSON‐6-Gehäuse für platzsparende Layouts

Anwendungsbereiche


• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandlungsstufen
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die kompakte Schalter erfordern
• Kann für die Server- und Telekommunikations-Stromverteilung verwendet werden
• Kompatibel mit Batteriemanagementsystemen in Industrieanlagen

Welche Gate-Antriebsaspekte sollte ich in Designs zulassen?


Das Gerät weist eine typische Gate-Ladung von 11 nC auf, sodass Gate-Treiber ausreichend Spitzenstrom liefern müssen, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen, während dV/dt gesteuert wird, um EMI zu begrenzen.

Wie wirkt sich die thermische Leistung auf das Leiterplatten-Layout aus?


Mit einer Verluststromdecke von 45 W werden Thermischleitungen und eine Kupfer-Wärmeableitung empfohlen, um die Sperrschichttemperatur zu bewältigen, insbesondere bei hohen Dauerstromstärken.

Welche Spannungs- und Polaritätsbeschränkungen gelten für das Gate?


Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 5,5 V, sodass der Gate-Antrieb diese Differenz nicht überschreiten darf, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.

Gibt es Umweltbeschränkungen für den Einsatz?


Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt, sodass die Auswahl der Komponenten und das thermische Design diesem Bereich für einen zuverlässigen Betrieb entsprechen sollten.

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