Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 119 W, 4-Pin PG-LHSOF-4

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RS Best.-Nr.:
349-264
Herst. Teile-Nr.:
IPTA60R180CM8XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPT

Gehäusegröße

PG-LHSOF-4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.

Geeignet für harte und weiche Schalttopologien

Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung

Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik

Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen

Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche

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