Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 142 A 694 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 349-256
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 13,68
(ohne MwSt.)
€ 16,42
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 000 Einheit(en) mit Versand ab 27. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 13,68 |
| 10 - 99 | € 12,31 |
| 100 + | € 11,36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-256
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT60R016CM8XTMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 142A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 171nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 142A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 171nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die Infineon CoolMOS-Plattform der 8. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600 V CoolMOS CM8-Serie ist der Nachfolger des CoolMOS 7. Sie vereint die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. geringer Klingeltendenz, integrierter schneller Body-Diode für alle Produkte mit herausragender Robustheit gegenüber harter Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste des CM8 Schaltanwendungen noch effizienter.
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Einfache Handhabung und schnelle Einarbeitung durch geringe Klingelneigung
Vereinfachtes Wärmemanagement dank unserer fortschrittlichen Die-Attach-Technik
Geeignet für eine breite Palette von Anwendungen und Leistungsbereichen
Lösungen mit höherer Leistungsdichte durch den Einsatz von Produkten mit geringerer Stellfläche
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT60T065S7XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT60R180CM8XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT60T022S7XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT60T040S7XTMA1 PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin IPT014N08NM5ATMA1 PG-HSOF-8