Infineon ISG Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 139 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1

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RS Best.-Nr.:
349-152
Herst. Teile-Nr.:
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

139A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PG-WHITFN-10-1

Serie

ISG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

52nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Die Infineon OptiMOS 5 Dual-n-Kanal-MOSFETs mit 100 V in einem skalierbaren Leistungsblock mit beidseitiger Kühlung. Zwei N-Kanal-MOSFETs im PQFN 6,3x6,0 mit niedrigem RDS(on) von jeweils 4,0 mΩ mit Q1/Q2 in einer Halbbrücken-Konfiguration. Die niedrige parasitäre Induktivität des Gehäuses verbessert die Schaltleistung und EMI bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für die Stückliste. Die beidseitige Kühlung steigert den Energiedurchsatz um weitere 25 % und sorgt für ein hervorragendes Wärmemanagement.

Minimierte Leitungsverluste

Reduziertes Überschwingen der Spannung

Hohe Leistungsfähigkeit

Hervorragende thermische Leistung

Geringste Schleifeninduktivität

Hervorragende Schaltleistung/EMI

Ausgezeichnetes Temperaturmanagement

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