Infineon ISG N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 100 V / 139 A 167 W, 10-Pin PG-WHITFN-10-1
- RS Best.-Nr.:
- 349-152
- Herst. Teile-Nr.:
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
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- Herst. Teile-Nr.:
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 139A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISG | |
| Gehäusegröße | PG-WHITFN-10-1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 139A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISG | ||
Gehäusegröße PG-WHITFN-10-1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungstransistor der ISG-Serie von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 139 A kontinuierlicher Drain-Strom – ISG0616N10NM5HSCATMA1
Dieser Leistungstransistor ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen effiziente Schaltvorgänge und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Leistungsumwandlungs- und Hochstromschaltkonfektionen ausgelegt, wobei er ein Gleichgewicht zwischen geringen Leitungsverlusten und einer hohen Wärmebehandlungsfähigkeit bietet.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 4 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• 139 A Dauerstrom unterstützt Hochstromkonstruktionen
• Die Verlustleistung von 167 W unterstützt anhaltende thermische Lasten
• Die Gate-Ladung von 52 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Das oberflächenmontierbare PG-WHITFN-10-1-Gehäuse vereinfacht die automatisierte Montage
• 4 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• 139 A Dauerstrom unterstützt Hochstromkonstruktionen
• Die Verlustleistung von 167 W unterstützt anhaltende thermische Lasten
• Die Gate-Ladung von 52 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Das oberflächenmontierbare PG-WHITFN-10-1-Gehäuse vereinfacht die automatisierte Montage
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung im Energiemanagement
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungseinheiten verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge bei erhöhten Temperaturen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung im Energiemanagement
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungseinheiten verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltvorgänge bei erhöhten Temperaturen
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?
Die typische Gate-Ladung von 52 nC bei der spezifizierten Gate-Spannung erfordert einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom liefern und ableiten kann, um die gewünschten Anstiegs- und Abfallzeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.
Wie bewältigt das Gerät thermische Belastungen in kompakten Layouts?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 167 W sollte das thermische Layout eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen unter dem Gehäuse umfassen, um die Wärme zu verteilen und die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen zu halten.
Welche Spannungsgrenzwerte müssen eingehalten werden, um Schäden am Gerät zu vermeiden?
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 100 V, und die Gate-Quellenspannung darf 20 V nicht überschreiten, um Avalanche- oder Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden.
Wie robust ist das Gerät für den Einsatz unter extremen Umgebungsbedingungen?
Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit starken Temperaturschwankungen.
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