Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 153 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 349-066
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW65R050M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 9,11
(ohne MwSt.)
€ 10,93
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 9,11 |
| 10 - 99 | € 8,20 |
| 100 - 499 | € 7,56 |
| 500 - 999 | € 7,00 |
| 1000 + | € 6,29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-066
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW65R050M2HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 153W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 153W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 basiert auf Infineons robuster Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation und bietet unvergleichliche Leistung, überragende Zuverlässigkeit und hervorragende Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET wurde entwickelt, um kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs zu ermöglichen, die den ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und Märkte gerecht werden. Er ist eine ideale Lösung für eine hohe Systemeffizienz in einer Vielzahl von Anwendungen und bietet zuverlässige Leistung und überlegene Funktionalität.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin IMZA65R050M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin IMW65R040M2HXKSA1 PG-TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin IMW65R020M2HXKSA1 PG-TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin IMW65R015M2HXKSA1 PG-TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin TO-247