STMicroelectronics SCT0, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 30 A 236 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
330-234
Herst. Teile-Nr.:
SCT070W120G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT0

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Durchlassspannung Vf

3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

18 V

Maximale Verlustleistung Pd

236W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Sehr hohe Sperrschichttemperaturfähigkeit TJ gleich 200 °C

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