Infineon EasyDUAL N-Kanal Dual MOSFET 1200 V / 25 A, 23-Pin AG-EASY1B

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RS Best.-Nr.:
284-956
Herst. Teile-Nr.:
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Serie

EasyDUAL

Pinanzahl

23

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Das Infineon-MOSFET-Modul wurde entwickelt, um die Leistung in Hochfrequenz-Schaltanwendungen zu erhöhen. Sein innovatives Design integriert die CoolSiC Trench-MOSFET-Technologie und bietet eine bemerkenswerte Effizienz und Zuverlässigkeit. Dieses auf industrielle Anwendungen zugeschnittene Modul wurde mit dem Schwerpunkt auf niedrige induktive Eigenschaften und reduzierte Schaltverluste entwickelt, was es zu einer hervorragenden Wahl für verschiedene leistungselektronische Anwendungen macht. Ob in Motorantrieben, USV-Anlagen oder DC/DC-Wandlern, das EasyDUAL-Modul erfüllt nicht nur die strengen Anforderungen moderner elektrischer Umgebungen, sondern übertrifft sie sogar. Dieses vielseitige Modul zeichnet sich durch seine benutzerfreundlichen Montagelösungen aus und wird durch umfangreiche Validierungstests unterstützt, die seine Position als zuverlässige Komponente in modernen Energiesystemen festigen.

CoolSiC-Technologie für das Wärmemanagement
Integrierte Temperaturerfassung erhöht die Sicherheit
Vorgefertigtes thermisches Material unterstützt die Wärmeableitung
Robuste Klemmen rationalisieren den Installationsprozess
Optimiert für vielseitige Spannungsanwendungen
Entspricht den industriellen Zuverlässigkeitsstandards
Niedrige Induktivität reduziert elektromagnetische Störungen
Hält extremen Umweltbedingungen stand

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