Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-940
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 789A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 789A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- AT
Der Infineon MOSFET verfügt über einen optimos 5-Leistungstransistor, der für außergewöhnliche Leistungen in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Dieser hochmoderne N-Kanal-Transistor arbeitet mit einer maximalen Spannung von 25 V und bietet einen beeindruckend niedrigen Einschaltwiderstand sowie ein verbessertes Wärmemanagement. Seine beeindruckende Dauerstrombelastbarkeit von 789 A ermöglicht eine effiziente Leistung auch unter schwierigen Bedingungen. Es wurde für die Zuverlässigkeit gebaut und ist vollständig nach JEDEC-Standards qualifiziert, um Langlebigkeit und Ausdauer im täglichen Gebrauch zu gewährleisten.
Erweiterte Wärmebeständigkeit für Langlebigkeit
Drainstrom ohne Gate-Spannung minimiert Energieverschwendung
Robuste Handhabung der Lawinenenergie für mehr Zuverlässigkeit
Pb-frei und RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit
Optimiert für Anwendungen auf Logikebene
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