Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
284-899
Herst. Teile-Nr.:
IPT65R040CFD7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

347W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

97nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Der Infineon MOSFET ist ein hochmoderner MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Dieses Produkt ist ein Beispiel für überlegene thermische Leistung und eignet sich daher ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen wie Server- und Telekommunikationssektoren. Mit seiner innovativen CoolMOS CFD7-Technologie verspricht er herausragende Zuverlässigkeit und Effizienz, insbesondere bei resonanten Schalttopologien, einschließlich LLC- und Phasenschieber-Vollbrückenanwendungen. Dieser MOSFET ist eine Weiterentwicklung seines Vorgängers mit verbesserten Schaltfähigkeiten und einem niedrigen Durchlasswiderstand, wodurch die Leistungsdichte optimiert und die Gesamteffektivität Ihrer Designs verbessert wird. Das Gerät wurde für die strengen Anforderungen industrieller Anwendungen entwickelt und bietet eine ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung, während es gleichzeitig eine außergewöhnliche Leistung über einen breiten Temperaturbereich bietet.

Ultra schnelle Body-Diode minimiert Schaltverluste

Klassenbester RDS(on) für mehr Effizienz

Robust gegen harte Kommutierung für Zuverlässigkeit

Bewältigt erhöhte Busspannung für Sicherheit

Optimiert für hohe Leistungsdichte in kompakten Designs

Hervorragende Leistung bei geringer Last für industrielle SMPS-Anwendungen

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