Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-752
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-752
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für hohe Leistung in Schaltnetzteilen entwickelt wurde und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet. Er wurde innerhalb der OptiMOS 5-Serie entwickelt und bietet außergewöhnlichen Wirkungsgrad und niedrigen Einschaltwiderstand, womit er eine ideale Wahl für die synchrone Gleichrichtung ist. Mit seiner Pb-freien und RoHS-konformen Konstruktion erfüllt das Produkt nicht nur die neuesten Umweltstandards, sondern gewährleistet auch eine robuste Leistung unter verschiedenen Bedingungen. Dieser Transistor verfügt über ein fortschrittliches Wärmemanagement und ist lawinengeschützt, was einen sicheren Betrieb und eine lange Lebensdauer in kritischen Umgebungen gewährleistet. Seine Fähigkeit zur Ansteuerung auf Logikebene ermöglicht die nahtlose Integration in eine Vielzahl elektronischer Systeme und ist ein weiteres Beispiel für seine Vielseitigkeit und Leistungsstabilität.
Optimiert für hocheffiziente Leistungsumwandlung
Geringer Widerstand für verbesserte Leistung
Bleifreies Design für die Einhaltung der Umweltvorschriften
Lawinengeprüft für erhöhte Zuverlässigkeit
Logikpegelsteuerung vereinfacht Niederspannungsschnittstellen
Thermischer Widerstand für effizientes Wärmemanagement
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