Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 510 A 358 W, 8-Pin PG-HSOF-8-1
- RS Best.-Nr.:
- 284-698
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUTN06S5N008ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 5.088,00
(ohne MwSt.)
€ 6.106,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 2,544 | € 5.088,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-698
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUTN06S5N008ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 510A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8-1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.76mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 358W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 510A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8-1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.76mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 358W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET wurde für Hochleistungsanwendungen im Automobilbereich entwickelt und zeichnet sich durch außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit aus. Als robustes N-Kanal-Gerät mit Anreicherungsmodus garantiert es überlegene Funktionalität mit verbesserten elektrischen Tests, die den strengen Industriestandards entsprechen. Diese innovative Komponente ist im Kraftfahrzeug-Power-Management äußerst wichtig und bietet eine kompakte Bauweise, die sich nahtlos in verschiedene Kfz-Systeme integriert. Mit einem bemerkenswerten Betriebstemperaturbereich und der Einhaltung von AEC Q101 gewährleistet er eine gleichbleibende Leistung auch unter schwierigen Umweltbedingungen.
Robustes Design erhöht die Zuverlässigkeit
Übertrifft die branchenüblichen Qualifikationen
Wirksamer Wärmewiderstand für das Wärmemanagement
100%ige Lawinenprüfung garantiert Langlebigkeit
RoHS-konform für umweltfreundlichen Gebrauch
Bewältigt hohe Dauerabflussströme
Erweiterte Gate-Ladung für schnelles Schalten
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8-1
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8-1
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS 6 N-Kanal 3-Pin PG-HSOF-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16-1
- Infineon OptiMOS N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16-1
- Infineon IPT N-Kanal 8-Pin PG-HSOF-8
