Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 188 W, 8-Pin PG-WSON-8

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon wurde entwickelt, um eine außergewöhnliche Leistung zu bieten, womit er eine ideale Wahl für industrielle Anwendungen ist. Durch das beidseitig gekühlte Gehäuse zeichnet sich dieser Baustein durch eine hohe thermische Beständigkeit aus, die auch unter schwierigen Bedingungen eine optimale Leistung gewährleistet. Dieser MOSFET ist vollständig nach JEDEC-Normen qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit und Stabilität unterstreicht. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175°C unterstützt er erweiterte Betriebsbereiche und eignet sich damit für verschiedene Anwendungen, die eine robuste Leistung erfordern. Umfassende elektrische Kenndaten bestätigen sein Design für die synchrone Gleichrichtung und machen es zu einer zukunftsweisenden Lösung für moderne elektronische Anforderungen.

Beidseitige Kühlung für thermische Effizienz