ROHM RV7C040BC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung -20 V / 4 A 1.1 W, 4-Pin DFN1212-3

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RS Best.-Nr.:
265-205P
Herst. Teile-Nr.:
RV7C040BCTCR1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Gehäusegröße

DFN1212-3

Serie

RV7C040BC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

63mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM-MOSFET wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in kompakten Anwendungen zu liefern. Sein einzigartiges bleifreies Gehäuse ermöglicht eine hervorragende Wärmeleitung und ist somit ideal für Szenarien, die eine effektive Wärmeableitung erfordern. Das Produkt zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von -20 V und einen niedrigen On-Widerstand aus, was eine effiziente Energieverwaltung gewährleistet.

Unterstützt einen großen Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen

Hervorragende Avalanche-Energieleistung gewährleistet Robustheit unter transienten Bedingungen

Kompakte Abmessungen erleichtern die Integration in miniaturisierte Schaltungen

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