ROHM RV7C040BC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung -20 V / 4 A 1.1 W, 4-Pin DFN1212-3
- RS Best.-Nr.:
- 265-205P
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7C040BCTCR1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | RV7C040BC | |
| Gehäusegröße | DFN1212-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie RV7C040BC | ||
Gehäusegröße DFN1212-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in kompakten Anwendungen zu liefern. Sein einzigartiges bleifreies Gehäuse ermöglicht eine hervorragende Wärmeleitung und ist somit ideal für Szenarien, die eine effektive Wärmeableitung erfordern. Das Produkt zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung von -20 V und einen niedrigen On-Widerstand aus, was eine effiziente Energieverwaltung gewährleistet.
Unterstützt einen großen Betriebstemperaturbereich für Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen
Hervorragende Avalanche-Energieleistung gewährleistet Robustheit unter transienten Bedingungen
Kompakte Abmessungen erleichtern die Integration in miniaturisierte Schaltungen
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