ROHM RQ3G270BKFRA Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 40 V / 27 A 69 W, 8-Pin HSMT-8AG

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RS Best.-Nr.:
264-941
Herst. Teile-Nr.:
RQ3G270BKFRATCB
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

RQ3G270BKFRA

Gehäusegröße

HSMT-8AG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.6mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM MOSFET wurde für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Sein kompaktes HSMT8AG-Gehäuse reduziert die Montagefläche erheblich und ist damit ideal für beengte Platzverhältnisse. Das Gerät ist nach AEC-Q101 qualifiziert und erfüllt damit die strengen Normen der Automobilindustrie.

Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt verschiedene Anwendungen

Breiter Betriebstemperaturbereich ermöglicht vielseitige Einsatzmöglichkeiten

Fortschrittliche Verpackung gewährleistet hohe Montagesicherheit

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