ROHM HT8K N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 7 A 13 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-874P
- Herst. Teile-Nr.:
- HT8KE5TB1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | HT8K | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 193mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie HT8K | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 193mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-Leistungs-MOSFET verfügt über eine duale N-Kanal-Konfiguration mit einer Nennspannung von 100 V und einer Stromkapazität von 7 A. Entwickelt in einem HSOP8-Gehäuse und mit niedrigem On-Widerstand.
Niedriger Einschaltwiderstand
Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)
Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei