ROHM R60 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 1.3 A 7.8 W, 3-Pin SOT-223-3

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RS Best.-Nr.:
264-849P
Herst. Teile-Nr.:
R6003JND4TL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

R60

Gehäusegröße

SOT-223-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.15Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8nC

Maximale Verlustleistung Pd

7.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 600V 1,3A SOT 223 3 Presto MOS mit integrierter Hochgeschwindigkeitsdiode ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerung, geeignet für Schaltanwendungen. Dies erhöht die Design-Flexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Rücklaufzeit, die für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken und Klimaanlagen optimiert ist.

Schnelle Rücklaufzeit

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Antriebsschaltungen können einfach sein

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

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