ROHM Dual (Nch+Pch) HP8 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 16.5 A 2 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-760P
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8MB5TB1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HP8 | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 46mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Dual (Nch+Pch) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HP8 | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Dual (Nch+Pch) | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM 40V 16,5A Dual Nch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.
Kleines Oberflächenmontagegehäuse (HSOP8)
Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei