ROHM RS6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 A 104 W, 8-Pin HSOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-581P
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6L120BHTB1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RS6 | |
| Gehäusegröße | HSOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RS6 | ||
Gehäusegröße HSOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM N-Kanal 60V 150A Leistungs-MOSFET in einem HSMT8-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und ein Hochleistungsdesign aus, wodurch er sich ideal für Schalt-, Motorantriebs- und Gleichstrom- oder Gleichspannungswandleranwendungen eignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Hochleistungskleinformgehäuse HSMT8
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
100% Rg und UIS getestet