Nexperia MOSFETs Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 330 A 375 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-464P
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R2-55SLHAX
- Hersteller:
- Nexperia
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | MOSFETs | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.03mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie MOSFETs | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.03mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET des NextPowerS3-Portfolios nutzt die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP und bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine niedrige Spiking-Performance, die normalerweise mit MOSFETs mit integrierter Schottky- oder Schottky-ähnlicher Diode assoziiert wird, jedoch ohne den problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hohen Schaltfrequenzen.
Lawinengeprüft und 100 % getestet
Superschnelles Schalten mit sanfter Diodenerholung für geringes Spiking und Klingeln
Enge VGS(th)-Bewertung für einfache Parallelschaltung und verbesserte Stromverteilung