Nexperia N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 37 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-463
- Herst. Teile-Nr.:
- NSF060120L3A0Q
- Hersteller:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
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- NSF060120L3A0Q
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- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Nexperia SiC Power MOSFET wird in einem kompakten 3-Pin TO-247-3L Kunststoffgehäuse für die Durchsteckmontage auf PCBs geliefert. Aufgrund seiner hervorragenden RDS(on)-Temperaturstabilität und seiner hohen Schaltgeschwindigkeit eignet er sich ideal für industrielle Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Spannung, wie z. B. Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.
Schnelle Rückgewinnung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode