Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 200 A 341 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-459
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R6-100SSFJ
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Verlustleistung Pd

341W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.6mm

Länge

8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Nexperia N-Kanal-MOSFET ist für den Betrieb bis zu 175°C qualifiziert und eignet sich ideal für Industrie- und Verbraucheranwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören die synchrone Gleichrichtung in AC-DC- und DC-DC-Wandlern, primärseitiges Schalten, BLDC-Motorsteuerung, Voll- und Halbbrückenschaltungen und Batterieschutz.

Starke Lawinen-Energie-Einstufung

Lawinengeprüft und 100% getestet

Ha frei und RoHS-konform

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