Nexperia NSF060120D7A0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 38.27 A 167 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
219-446P
Herst. Teile-Nr.:
NSF060120D7A0J
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38.27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NSF060120D7A0

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

167W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

57nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Ursprungsland:
CN
Der Nexperia SiC Power MOSFET wird in einem kompakten 7-poligen TO-263 Kunststoffgehäuse für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten geliefert. Aufgrund seiner hervorragenden RDS(on)-Temperaturstabilität und seiner hohen Schaltgeschwindigkeit eignet er sich ideal für industrielle Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Spannung, wie z. B. Ladeinfrastrukturen für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe.

Schnelle Rückgewinnung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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