Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 120 A 401 W, 5-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
219-444
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R5-30BLEJ
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

228nC

Maximale Verlustleistung Pd

401W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia Logic Level ist in einem D2PAK-Gehäuse untergebracht und für den Betrieb bis zu 175 °C qualifiziert. Er wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsanwendungen entwickelt und bietet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

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