Nexperia PXN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 24 A 30 W, 8-Pin MLPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-415
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN028-100QLJ
- Hersteller:
- Nexperia
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- PXN028-100QLJ
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- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PXN | |
| Gehäusegröße | MLPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PXN | ||
Gehäusegröße MLPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wird in einem MLPAK33-Gehäuse geliefert. Er wurde für eine Vielzahl von Standardanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören synchrone Gleichrichtung auf der zweiten Seite, DC/DC-Wandler, Haushaltsgeräte, Motorantriebe, Lastschaltung und LED-Beleuchtung.
Kompatibilität mit Logikpegel
Trench MOSFET-Technologie
Wärmeeffizientes Gehäuse in einem kleinen Formfaktor