Nexperia PXN N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 50 A 58 W, 8-Pin MLPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-391
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN012-100QSJ
- Hersteller:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 219-391
- Herst. Teile-Nr.:
- PXN012-100QSJ
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PXN | |
| Gehäusegröße | MLPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PXN | ||
Gehäusegröße MLPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wird in einem MLPAK33-Gehäuse geliefert. Er wurde für eine Vielzahl von Standardanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören synchrone Gleichrichtung auf der zweiten Seite, DC/DC-Wandler, Haushaltsgeräte, Motorantriebe, Lastschaltung und LED-Beleuchtung.
Kompatibilität mit Standardniveau
Trench MOSFET-Technologie
Wärmeeffizientes Gehäuse in einem kleinen Formfaktor