Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 380 A 333 W, 5-Pin LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 3,50

(ohne MwSt.)

€ 4,20

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 3,50
10 - 99€ 3,16
100 - 499€ 2,90
500 - 999€ 2,70
1000 +€ 2,41

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-329
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR58-30YLHX
Hersteller:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

380A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia ist für niedrige RDSon, niedrige IDSS-Leckage selbst bei hohen Temperaturen, hohen Wirkungsgrad und hohe Strombehandlung optimiert. Es ist ideal für DC-Lastschalter und Hot-Swap-Anwendungen. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap, E-Sicherung, Power OR-ing, DC/Last-Schaltung, Batterieschutz und Bürsten-/BLDC-Motorsteuerung.

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit

Qualifiziert für 175 °C

Wave-Lötfähig

Verwandte Links